| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/13 ~ 10/14, 제주 ICC) |
| 권호 | 30권 2호 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | Effect of Surface Treatment on Pentacene Morphology |
| 초록 | 최근 OTFT (organic thin film transistors)에 대한 많은 관심이 집중되고 있다. 이는 저온공정, 쉽고 저렴한 제조공정의 이점으로 LCD (liquid crystal display), OLED (organic light emitting diode)의 구동소자로서 고려되어지기 때문이다. 특히 OTFT의 활성층은 구동소자로서 성능을 발휘하는데 중요한 부분이다. 활성층에 사용되어지는 유기물 중 펜타센은 열증착 (thermal evaporation)에 의해 박막 형태로 증착되며, 증착되어진 펜타센과 층간 절연막과의 계면특성에 따라서 OTFT의 특성이 변화한다고 알려져 있다. 또한 gate insulator 위에서의 펜타센의 초기성장 mechanism에 의해서도 OTFT의 전기적 특성이 변화되는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 gate insulator에 uv-ozone treatment, hexamethyldisilazane(HMDS)를 이용한 표면처리를 하여 펜타센을 활성층으로 사용한 OTFT를 제작하였고, 펜타센의 초기성장 mechanism을 알아보았다. 위하여 표면 mophology를 조사하였다. 표면처리 물질이 펜타센의 성장에 미치는 영향과 이에 따른 OTFT의 전기적 특성의 변화도 살펴보았다. |
| 저자 | 정훈1, 이은상1, 표승문1, 홍성권2, 이미혜1, 원종찬1 |
| 소속 | 1한국화학(연), 2충남대 |
| 키워드 | pentacene; OTFT; surface treatment |
