| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/21 ~ 10/22, 인하대학교) |
| 권호 | 11권 2호, p.2595 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 고밀도 플라즈마를 이용한 TiN 박막의 반응성 이온 식각 |
| 초록 | TiN은 낮은 friction coefficient 및 우수한 전기적 특성을 가지고 있기 때문에 multilevel metallization을 위하여 aluminum과 silicon 박막 사이에 conductive diffusion barrier로써 microeletronics와 optoelectronics에 이용된다. 최근에 차세대 반도체 메모리 소자로 대두되고 있는 비휘발성인 ferroelectric random access memory와 magnetic random access memory에 사용되는 iridium, platinum 박막과 CoFe, NiFe 등의 자성박막들은 느린 식각속도 때문에 photoresist mask에 대하여 낮은 선택도를 나타내며 낮은 식각 경사 및 재증착 현상이 관찰된다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 본 연구에서는 식각할때 고밀도 플라즈마에 잘 견디는 hard mask로써 TiN 박막을 이용하기 위하여 rf magnetron sputtering system을 이용하여 TiN 박막을 증착하였고, 고밀도 유도 결합 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각을 통해 TiN 박막의 식각 특성을 연구하였다. 식각 가스로써 Cl2와 C2F6를 선택하여 gas의 농도, coil rf power, dc bias voltage, 그리고 gas pressure를 변화시키며 식각 특성이 관찰되었다. Surface profilometer를 이용하여 식각 속도가 측정되었고, field emission scanning electron microscopy를 이용하여 식각 프로파일이 관찰되었다. 또한 식각가스에 대한 TiN 박막의 surface morphology의 변화를 조사하기 위하여 식각하기 전 TiN 박막 표면과 Cl2와 C2F6로 식각한 TiN 박막 표면을 atomic force microscopy로 관찰하였다. |
| 저자 | 민수련, 정지원, 이장우, 박익현 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | TiN; etching; 반응성 이온식각 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
