| 초록 |
Zinc oxide (ZnO) 박막은 넓은 band gap (3.3 eV), 높은 열전도성, 그리고 용이한 박막 성장 등의 장점을 나타낸다. 따라서 optoelectronics device, 투명 전극 물질, thin film transistor, 그리고 gas sensing device등의 분야에 널리 응용된다. 본 연구에서는 고밀도 유도결합 플라즈마(high density inductively coupled plasma)를 이용하고, HBr 가스의 농도, 다양한 식각 변수를 변화시켜 ZnO 박막의 식각 특성을 조사하였다. Surface profilometer를 이용하여 ZnO 박막의 식각 속도를 조사하였고, field emission scanning electron microscopy를 이용하여 식각 profile을 관찰하였다. 식각된 ZnO 박막은 X-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 식각 메커니즘이 규명되었으며, atomic force microroscopy를 이용하여 표면 거칠기가 조사되었다. 그 결과로서, 수직적인 식각 경사와 깨끗한 식각 프로파일을 관찰할 수 있었다. |
