| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (11/10 ~ 11/11, 경희대학교(수원캠퍼스)) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | C2F6 가스를 이용한 TiO2 박막의 건식 식각 특성 |
| 초록 | 최근에 정보통신분야의 지속적인 발달로 인하여 더 많은 정보를 빠르게 처리할 수 있는 능력을 가진 반도체 소자가 요구되고 있다. 이에 대응하기 위한 차세대 비휘발성 메모리소자 가운데 하나로서, 짧은 전기 펄스를 가하여 일어나는 금속 산화물의 저항 변화를 이용한 산화물 저항변화 메모리가 크게 주목받고 있다. 이 메모리는 낮은 소비전력, 빠른 데이터 읽기-쓰기 속도, 작은 셀 면적 등의 특징을 가진다. 본 연구에서는 산화물 저항변화 메모리의 핵심 저항체인 TiO2 박막을 고밀도 플라즈마를 생성시키는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각장비를 사용하여 식각하였다. TiO2 박막은 C2F6/Ar 혼합 가스로 식각 되었으며, 공정 변수로서 C2F6 가스의 농도, coil rf power, 기판에 가해지는 dc-bias voltage, 그리고 공정 압력이 선택되었고 이에 따른 식각 속도와 식각 프로파일이 관찰되었다. |
| 저자 | 조한나, 민수련, 리 유에롱, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | TiO2; dry etching; OxRRAM |
