화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트)
권호 18권 1호
발표분야 C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials)
제목 selective emitter를 위한 POCl3 확산 연구
초록 selective emitter 기술은 접촉저항 감소를 위해 전면전극 아랫부분은 고도핑을 하고, 전면 전극과 전극 사이는 저도핑을 하여 device의 재결합 손실을 줄이는 기술이다. Selective emitter 형성 방법 중에 SiO2 확산방지막을 이용한 방법으로 그 두께에 따라 POCl3 확산 공정시, SiO2 박막를 통해 도펀트가 투과되어 도핑 또는 barrier 로써 도핑을 조절할 수 있는 반투과적인 특성이 보고되어 있다. 따라서, selective emitter 형성 시 SiO2 확산방지막을 사용하여 한번의 도핑으로 고도핑 및 저도핑을 동시에 형성시키면 공정단가를 낮출 수 있다는 장점이 있다. 본 연구에서는 selective emitter 형성을 위해 furnace 사용하여 POCl3 확산과 반투과성 SiO2 확산방지막을 증착하여 면저항에 대한 연구를 해보았다. p-type 실리콘 기판 위에 증착 된 SiO2 확산방지막은 두께는 ellipsometer를 통해 분석하였다. POCl3 확산은 도핑조건을 변화시킨 후 면저항을 측정하기 위해 BOE (buffered oxide etchant)로 SiO2 확산방지막을 에칭하여 4-point probe로 측정하였으며, 도핑 특성 평가는 SiO2 확산방지막 에칭 후에 QSSPC 측정을 통해 평가하였다. 이를 바탕으로 PC1D simulation을 통하여 도핑 특성에 따른 태양전지의 성능 평가하였다.
저자 권철욱, 배수현, 박효민, 김영도, 박성은, 탁성주, 김동환
소속 고려대
키워드 Si solar cell; selective emitter; SiO2 barrier; POCl3 diffusion
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