| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교) |
| 권호 | 12권 2호 |
| 발표분야 | 전자 재료 |
| 제목 | 후 열처리에 의한 Ga이 도핑된 ZnO 박막의 결정립 변화가 전기적 특성에 미치는 영향 |
| 초록 | 투명 전도막 등으로 광범위하게 응용되고 있는 ITO의 대체물질로 3족 원소가 도핑된 zinc oxide에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으나 전기적 특성이 아직까지 ITO에 미치지 못하고 있는 실정이다. 이번 연구에서는 이를 개선하기 위한 방법으로 gallium이 도핑된 ZnO (GZO) 박막에 후 열처리를 실시하였고, 후 열처리 온도에 따른 박막의 전기적 특성 변화를 평가하였다. GZO 박막은 유리 기판 위에 DC magnetron sputtering으로 증착하였으며, 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 XRD, Hall measurement system, 4-point probe, UV-Vis spectrometer를 통해 분석했다. 특히 열처리 온도의 상승에 따른 결정립의 성장과 질의 변화가 전자의 이동도와 농도에 미치는 영향에 대해 고찰하였다. GZO 박막이 가장 낮은 비저항 값을 갖는 sputtering 공정 조건의 확립한 후, 진공 (2x10-6 Torr) 분위기에서 온도를 변화시키며 열처리를 실시하였다. 최적의 공정조건에서 증착한 비저항이 7.50x10-4 Ω-cm, 가시광선에서의 투과도가 85 %인 GZO 박막을 100 ~ 500 °C 온도 구간에서 후 열처리를 실시 하였으며, 300 °C에서 가장 낮은 비저항 값인 3.28x10-4 Ω-cm를 얻을 수 있었고, 이 때의 투과도는 83 %였다. |
| 저자 | 문대용, 문연건, 김쇄현, 박종완 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | gallium doped zinc oxide; TCO; 후열처리 |
