| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | RF 스퍼터링법으로 형성한 ZnO 박막의 광전특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 ZnO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Al2O3(0001) 기판 위에 증착하고 스퍼터링 조건에 따른 전기적 특성과 광학적 특성을 조사하였다. 4 인치 크기의 ZnO 타켓을 Ar 가스 분위기에서 RF power와 기판온도는 각각 200W와 200℃로 일정하게 유지하면서 20 mTorr의 진공 중에서 서로 다른 시간동안 증착하였다. 증착된 ZnO 박막의 구조적 특성은 AFM과 XRD로 확인하였고, 전기적 특성은 Hall 효과와 4-point probe로 측정하였으며, 광학적 특성은 ellipsometer로 박막의 두께와 band gap을 측정하였고 적외선에 대한 광전도 특성을 조사하였다. 사파이어 기판 위에 증착된 ZnO는 (002) 방향으로 400Å/h의 속도로 성장하였다. 스퍼터링 시간이 증가함에 따라 (002)면의 X선 회절 강도가 증가하였으며, AFM image를 통해 결정립의 크기가 증가하는 것을 확인되었고, 스퍼터링 시간에 따라 ZnO 박막의 저항은 감소하였다. 한편, Ellipsometer로 확인된 ZnO의 상온 밴드갭은 3.18 eV이었다. |
| 저자 | 조영범1, 김준2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | ZnO; RF-sputtering; XRD; AFM; Hall-effect |
