초록 |
최근 플렉서블 소자, 웨어러블 소자 등의 수요가 높아짐에 따라 관련 분야 연구가 활발히 진행되고 있다. 이에 따라 메모리, 트랜지스터, 에너지 저장소자 등 많은 분야에서 플렉서블 소자를 제작하기 위한 노력이 계속되고 있다. 차세대 메모리 중 하나인 저항변화메모리는 물질의 저항이 변화하는 특성을 이용하여 데이터를 저장하는 메모리 소자이다. 저항 변화를 일으키는 소재에 따라 다양한 특성이 보고 되고 있다. 지금까지 연구가 되어 온 플렉서블 저항변화메모리의 저항 변화 물질을 살펴보면 금속산화물, 유기물, 유∙무기 하이브리드 소재 등이 사용되었다. 유∙무기 하이브리드 소재는 최근에 활발하게 연구가 진행되고 있는 소재로 플렉서블 소자에 적용 가능성이 높은 것으로 보고되고 있다. 따라서 본 연구에서는 유∙무기 하이브리드 소재 중 하나인 metal-organic framework (MOF)를 저항 변화 소재로 이용하여 소자를 제작하였다. MOF는 유∙무기물이 서로 결합하여 형성된 매우 안정한 물질이지만, 전기장을 가함에 따라 그 저항 특성이 변할 수 있음이 보고되었다. MOF의 3차원 구조는 inorganic node와 organic linker로 이루어져 유∙무기 전구물질을 바꿔 줌으로써 다양한 구조와 조성으로 제작할 수 있다는 장점이 있다. 본 연구에서 사용된 MOF는 Zn와 2-methylimidazole(2-mIm)을 전구물질로 하여 간단한 sol-gel coating 법으로 증착되었다. 제작된 메모리 소자의 저항 변화 특성을 관찰하였고, 유연성 테스트를 진행하여 플렉서블 소자로의 적용 가능성을 확인하였다. |