| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 | 19권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Si-wafer의 wet etching 시 Etchant 조성 변화에 따른 물리적, 전기적 특성 변화 |
| 초록 | 현재 전자산업의 추세는 소형화와 경량화 맞춰 핵심기술로 중요시 되고 있다. 특히 모바일이나 테블릿 PC 시장에서는 칩의 소형화와 더불어 경량화된 제품들이 요구된다. 이와 같이 소형화 및 경량화 기술의 연구개발에 따라 수십㎛이하의 초박막 실리콘 웨이퍼가 제작 연구되고 있는 실정이다. Wet etching은 반도체 실리콘 웨이퍼를 평면 연마하는 기술 중 하나이며, wet etching 기술은 화학적 반응으로 HF, HNO3를 기본으로 첨가제(초산,황산,염산)를 사용하여 Si-wafer를 etching하게 된다. 이 때 각 물질의 조성에 따라서 Si-wafer의 Ecth rate, roughness, 강도, 전기적 특성에 영향을 미친다. 따라서 본 연구는 Si-wafer wet etching 시 etchant 변화에 따른 물리적, 전기적 특성 변화에 미치는 영향에 대해 실험적으로 연구하였으며, FE-SEM, AFM, α-step, probe station를 이용하여 관찰하였다. |
| 저자 | 김준우1, 이현용1, 강동수1, 이상현2, 고성우2, 노재승1 |
| 소속 | 1금오공과대, 2(주)이코니 |
| 키워드 | Si-wafer; etchant; wet etching; roughness |
