| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (10/22 ~ 10/23, 일산 KINTEX) |
| 권호 | 15권 2호, p.2131 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Angular dependence of Si3N4 etch rates and SiO2 to Si3N4 etch selectivity in a C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasma |
| 초록 | 반도체 회로의 선폭이 좁아지고 식각구조가 복잡해지면서 소자의 콘택홀(contact hole)식각에 자기정렬접촉(self-aligned contact, SAC)방법이 도입되었다. 이 때, 국부적인 식각선택비의 손실로 인한 nitride 박막의 침식(erosion)현상은 소자 간 단락(short circuit)을 일으키는 원인이 된다. 이러한 현상은 식각표면과 입사하는 이온의 각도에 따라 식각속도의 차이가 발생하기 때문으로 추측되지만 실험적인 규명이 미흡한 실정이다. 본 연구에서는 C4F6/Ar/O2 플라즈마를 이용하여 nitride 박막의 식각을 수행하여 nitride의 식각속도와 oxide 대 nitride 식각선택비의 각도의존성을 조사하였다. 각도의존성 분석은 특별히 고안된 Faraday cage를 이용하여 박막표면에 입사하는 이온의 각도를 세밀하게 조절함으로써 실시되었다. 또한 CH2F2 가스를 첨가하여 박막표면에 형성된 불화탄소막(fluorocarbon film)의 특성이 ntride의 식각속도와 식각선택비에 미치는 영향도 분석하였다. |
| 저자 | 조성운1, 이진관2, 문상흡2, 김창구1 |
| 소속 | 1아주대, 2서울대 |
| 키워드 | plasma etching; selectivity; SAC; angular dependence |
| 원문파일 | 초록 보기 |
