| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (04/27 ~ 04/29, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 17권 1호, p.731 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | The role of steady-state fluorocarbon film during SiO2 etching in C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasmas |
| 초록 | RIE(reactive ion etching)에 널리 사용되는 불화탄소 플라즈마는 Si 또는 Si3N4에 대한 SiO2의 높은 식각선택비가 요구되는 via 또는 contact hole 식각공정에서 주로 사용된다. 이때 가장 중요한 요소 중 하나는 이온의 입사각도에 따른 정상상태 불화탄소박막의 발생정도와SiO2 식각속도의 상관관계를 규명하는 것이다. 매우 미세한 패턴의 SiO2 식각에서 이온의 입사 각도에 따라 식각 속도가 영향을 받기 때문에 실제 플라즈마 식각공정 환경에서 정확한 식각 메카니즘을 규명하기가 어렵다. 본 연구에서는 이온의 방향성을 조절할 수 있는 Faraday cage 시스템을 사용해 C4F6/Ar/O2와 C4F6/Ar/O2/CH2F2 플라즈마에서 SiO2 식각을 진행하였다. 이온의 입사각도에 따른 불화탄소막(fluorocarbon film)의 특성 변화가 SiO2 식각에 어떠한 영향을 끼치는지 알아보기 위해, 불화탄소막 식각속도의 각도의존성을 조사하였다. 이온의 입사각도에 따른 SiO2의 식각 메카니즘은 불화탄소막의 두께 변화와 F/C ratio 변화, 식각속도 변화를 바탕으로 설명하였다. |
| 저자 | 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | fluorocarbon; Faraday cage; etch rate; plasma etching |
| 원문파일 | 초록 보기 |
