| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/27 ~ 10/29, 신라대학교) |
| 권호 | 17권 2호 |
| 발표분야 | C. Energy and the Environment Technology(에너지 및 환경재료) |
| 제목 | 고효율 후면 전극형 실리콘 태양전지에서 도핑 페이스트 제조 및 그 특성 |
| 초록 | 후면전극형 태양전지는 후면에 모든 전극이 집적되어 있어 전면 전극의 광 흡수량이 증가하며 후면 junction과 전극이 분리되기 때문에 추가 공정이 필요하지 않는 장점으로 일반적인 태양전지에 비하여 효율이 증가하게 된다. 이러한 구조의 태양전지를 개발하기 위해서는 후면에 junction 형성을 위한 새로운 확산공정기술과 후면 전극형성기술 개발이 필요하다. 일반적으로 도금으로 전극을 형성하게 되나 photo lithography 공정도입으로 인하여 20개 이상의 공정이 도입된다. 공정비용 감소를 위하여 dopant source 및 doping paste를 도입하였으며 형성된 전극의 특성을 평가하였다. Dopant source의 경우, P, N 형성이 가능한 원소를 고비점의 유기용제에 용해하여 제조하였으며 N type wafer 표면에 도핑, 열확산하여 특성을 평가하였다. 초기 N type wafer의 면저항은 360Ω/□이였으나 열처리후 20~30Ω/□ 수준으로 저항값이 감소하였다. Doping paste 적용시 접촉 저항은 적용되는 glass frits의 특성 및 열처리 온도에 따라 접촉저항의 차이를 나타내었다. |
| 저자 | 양승진, 이정웅, 박기범, 손창석, 이장희, 박성용 |
| 소속 | (주)창성 중앙(연) |
| 키워드 | IBC(Interdigitated back contact) cell; Dopant; Ag paste |
