| 초록 |
전자제품에 들어가는 각종 부품들이 고 집적화되면서 마이크로 패터닝이 가능한 초소형 고정밀 박막저항체의 개발이 요구되고 있다. 인쇄회로기판(PCB)내에 저항, 커패시터, 인덕터 등의 수동소자를 실장하여 디바이스를 경박단소 하게 하려는 연구가 계속되어 오고 있다. 이 논문에서는 Reactive Co-Sputtering 법으로 증착한 Ta-N-Ag 박막을 저항체로 사용해 PCB에 실장한 후에 passivation layer의 물질 및 두께 등의 조건을 달리하여 실험을 하였다. 기판은 Si wafer(100), corning glass를 사용하였다. 박막을 증착하기 위하여 챔버내의 기본압력은 3×10-7Torr, 공정압력은 5mTorr, N2분압은 55%에서 증착한 박막 resistor위에 passivation layer의 종류와 두께에 따라 시간이 경과함에 따라 저항체의 저항값이 어떻게 변화하는지에 대해 실험 하였다. Hot plate온도를 250°C로 고정하고 저항체를 올린후 5시간동안 유지 하였을 때 저항값의 변화가 ±5% 이내의 안정적인 값을 얻을수가 있었다. |
