| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 봄 (05/15 ~ 05/16, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 상부 전극 종류에 따른 NbOx 박막의 메모리 특성변화 연구(Resistive switching properties of NbOx thin films depending on top electrodes) |
| 초록 | 차세대 메모리 소자 중 하나인 resistance random access memory (ReRAM) 메모리 소자는 빠른 읽기/쓰기 속도, 낮은 전압에서의 구동특성으로 주목을 받고 있지만 crossbar 구조에서 leakage current로 인하여 신호오류가 발생하는 문제점이 있다. Threshold switching 소자와 결합하여 사용할 경우 이러한 문제점을 해결 할 수 있으며 Nb2O5 조성에서 ReRAM 특성이 나타나고 NbO2 조성에서 threshold 스위칭 특성을 가지는 niobium oxide (NbOx)는 한 물질 내에서 두 가지 스위칭 특성을 제어 할 수 있어 ReRAM 메모리 소자에 적합한 물질로 평가되고 있다. 하지만 비화학양론적 특성 때문에 단일 조성 증착이 어렵고 두께별로 조성비율이 다른 문제점이 있다. 본 연구에서는 NbOx 박막에 계면 산화막을 적용하여 전체적인 조성 비율을 조절하였으며 상부전극 물질에 따른 NbOx 박막의 스위칭 특성 변화를 분석하였다. Radio frequency (RF) sputter 를 사용하여 박막을 증착 한 후 산소 분위기에서 박막을 산화시켜 전체 조성을 조절하였다. NbOX 박막의 표면 형상과 두께는 scanning electron microscope (SEM), ellipsometer 를 통해 확인하였고, 박막의 두께별 조성은 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통하여 분석하였다. I-V 측정을 통해 상부전극 종류와 스위칭 특성 사이의 상관 관계를 분석하였다. |
| 저자 | 황성환1, 박지현1, 이태일2, 명재민1 |
| 소속 | 1연세대, 2가천대 |
| 키워드 | ReRAM; Threshold switching; NbOx; top electrode; XPS |
