| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | SAMs 패턴에서의 선택적 증착을 이용한 MIS capacitor 제작 |
| 초록 | 현재 사용되고 있는 photo-lithograph의 경우는 선택적인 증착을 위해서는 많은 수의 MASK가 들어가며 노광시에 자외선의 파장으로 scale down등의 문제로 한계에 직면한 상태이다. 이를 해결하기 위한 방법 중 한가지로 자기조립 단분자막(SAMs)을 이용한 pattern 형성법이 있다. SAMs는 나노 제작 기술 중 가장 효율적이며 정밀한 방법으로 기존의 증착후 식각을 이용한 top-down방식과는 달리 pattern된 기판위에 bottom-up 방식으로 증착을 한다[1]. 이는 나노소자 제작방법 중에서 가장 가능성이 많은 기술로 여겨지고 있다. 본 연구에서는 SiO2/Si 기판 위에 micro-contact printing을 이용하여 OTS를 patterning 한 후 ALD를 이용하여 high-k 물질인 ZrO2를 증착한 후 다시 MO-CVD를 이용하여 Cu 선택적으로 증착[2]하여 식각공정 없는 MIS 구조의 캐퍼시터를 제작하였으며, 공정 특성 및 전기적 특성을 논하였다. AFM및 EDX mapping 분석을 사용하여 ZrO2 및 Cu의 우수한 선택적인 증착을 확인하였으며 C-V 및 I-V로 전기적인 특성을 측정하였다. 기존의 photo-lithograph로 MIS를 만들어 전기적 특성을 측정하여 SAMs를 이용하여 제작한 MIS와 비교하여 그 신뢰성을 확인하였다. 참고문헌 [1] Y, Xia, G. Whitesides, Angew. Chem. Int. Ed., 37, pp. 550-575 (1998) [2] N. L. Jeon, R. Nuzzo, Y. Xiz, M. Mrksich, G. whitesides, Langmuir, 11, pp. 3024-3026 (1995) |
| 저자 | 원상희1, 오태관1, 김지영2 |
| 소속 | 1국민대, 2The Univ. of Texas at Dallas |
| 키워드 | MIS; SAMs; ALD; selective deposition |
