| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2003년 봄 (04/11 ~ 04/12, 연세대학교) |
| 권호 | 28권 1호, p.360 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | 고분자 절연체를 사용한 유기 박막 트랜지스터 |
| 초록 | 고분자를 게이트 절연막으로 사용한 유기 박막 트랜지스터 (organic thin film transistor : OTFT)를 개발하기 위하여 ITO 기판위에 Poly(methyl methacrylate) (PMMA) 또는 poly(4-vinylphenol) (PVP)을 스핀 코팅하여 게이트 (gate) 절연막을 형성하였다. 절연막 위에 활성화층으로 poly(3-octylthiophene) (P3OT)을 스핀코팅 하거나 pentacene을 진공 열증착한 후 드레인-소스 (drain-source) 전극으로 금을 진공 열증착하여, ITO/PMMA (또는 PVP)/ P3OT (또는 Pentacene)/Au 구조의 유기물 트랜지스터를 제작하였다. 실리콘 기판위에 SiO2를 절연막으로 사용한 소자에 비해 유기 절연막을 사용한 소자의 전하의 이동도가 우수하였다. |
| 저자 | 강기욱;강희영;송준호;이남헌;이창희 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | PMMA; PVP; pentacene; P3OT; OTFT |
