| 초록 |
나노임프린트 (Nanoimprint)는 기판 위에 수지를 스핀코팅 또는 디스펜싱 한 후, 나노구조물이 각인된 스탬프를 기판 표면에 눌러 나노 구조물을 전사하는 방법으로 열 경화를 이용하는 가열식 방법과 광 경화를 이용하는 UV 방법이 있다. 이중 UV 기술에는 아크릴레이트를 기본으로 하는 수지가 주로 사용되는데, 아크릴레이트 계열 수지는 광 경화 반응에서 산소의 방해를 받는 단점이 있다. 하지만 thiol-ene 광 경화 반응은 산소의 방해를 받지 않고 빠른 경화속도, 강한 표면강도를 가지면서 높은 굴절률을 가지는 특징이 있다. 본 실험에서는 thiol-ene 계열의 수지를 제조하여 아크릴레이트 계 수지와의 산소에 의한 영향을 FTIR, Raman, DSC를 이용하여 비교하였다. 또한, thiol-ene 계열의 수지를 관능기수 및 조성을 변화시켜 구조물의 크기와 형태에 따른 결점들을 SEM, AFM을 이용하여 관찰하였으며, 물리적 특성인 점도, 경도, 투과도 등의 조건에 따른 변화를 확인하였다. |
