| 초록 |
플렉시블 디스플레이의 개발이 증가됨에 따라 가벼우면서 휴대하기 용이하고 휘어지면서도 기능을 유지할 수 있는 플렉시블 투명 트랜지스터에 대한 관심이 날로 증대되고 있다. 본 연구에서는 차세대 비정질 투명 산화물 반도체로 알려진 비정질 인듐 갈륨 아연 산화물 (Indium gallium zinc oxide) 반도체 박막을 dual target 스퍼터 시스템을 이용하여co-sputtering 방식으로 유리, PEN, Arylite 기판 상에 성막하였다. Co-sputtering 타겟으로는 IGO (Ga2O3 5wt %doped In2O3) 와 IZO (ZnO 10 wt % doped In2O3) 타겟을 이용하였으며 각각 DC 파워 변화에 따른 전기적, 광학적, 구조적, 표면 특성을 분석하였다. 특히 Hall measurement분석을 통해 DC 파워에 따른 비정질 IGZO의 전기적 특성을 분석하였으며, IGZO 박막의 투과도를 측정한 결과 500~550 nm에서 85~90%의 높은 투과율을 나타내었다. 또한XRD와 HREM 분석을 통해 IGZO 박막의 구조적 특성을 분석하였으며 XPS 분석을 통해 박막의 조성을 분석하였다. 뿐만 아니라 고분자 기판(PEN, Arylite)에 성막된 비정질 IGZO 박막의 bending에 따른 기계적 안정성을 분석하여 1000회 이상의 bending 테스트 후에도 안정된 전기적 특성을 나타냄을 알 수 있었다. 이와 같은 IGZO 반도체의 우수한 특성은 차세대 플렉시블 투명 박막 트랜지스터용 active layer로의 가능성을 나타낸다. |
