| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | MOCVD법으로 다양한 기판위에 성장한 ZnO 박막의 광학적, 구조적 특성 평가 |
| 초록 | ZnO는 3.37eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있으며, 60meV의 큰 엑시톤(exciton) 결합에너지의 특성을 가지고 있어 UV 영역의 소스로서 가장 활용도가 클 것으로 예상된다. 특히 ZnO 박막은 청색과 자외선 발광소자 및 광전자 소자, 화학적 센서로 활용이 가능하다. 여러 성장 방법중 MOCVD 법은 소스인 DEZn 와 산소의 유량이 조절이 가능하여 박막의 특성 다양하게 변화시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 성장온도가 낮기 때문에 플랙서블 기판과 같은 녹는점이 낮은 기판에서도 박막성장이 가능하다. 본 연구에서는 MOCVD 법을 이용하여 c-sapphire, a-sapphire, p-Si(100), GaN, glass, ITO 기판위에 ZnO 박막을 성장 시켰다. 성장된 ZnO 박막과 기판과의 격자상수 차이에 의한 광학적 특성 변화와 구조적 특성 변화에 대해 연구하였다. |
| 저자 | 공보현, 김동찬, 한원석, 최미경, 김영이, 안철현, 강시우, 조형균 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | ZnO; MOCVD; Thin films |
