| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | Surface passivation of BaMgAl10O17O:Eu2+ coated with Silicon oxide by catalyzed atomic layer deposition |
| 초록 | 청색 형광체인 BaMgAl10O17O:Eu2+ 재료는 PDP 및 CCFL 제조과정에서 휘도 및 lifetime이 감소하는 열화가 발생하는 것으로 알려져있다. 이는 제조과정에서 수분이 결정격자내로 intercalation 이 발생하여 Eu2+를 Eu3+로 산화시키기 때문이라고 알려져있다. 본 실험에서는 BaMgAl10O17O:Eu2+의 열화특성을 개선하기 위해 형광체에 촉매를 이용한 원자층 증착법(ALD ; Atomic Layer Deposition)으로 실리콘 산화막을 증착한 연구를 수행하였다. 원자층 증착법은 순차적인 반응과 self-limithing인 표면반응을 하여 박막을 형성하므로 표면 화학과 박막 성장 연구에 사용되고 있으며, 기판에 코팅하고자 하는 재료가 단원자층으로 성장하도록 한다. 실리콘 산화막 증착과정에 사용한 precursor로는 Si(OC2H5)4 를 사용하였고 reactant gas로는 H2O를 사용하였으며 저온 증착을 위한 촉매로는 C2H5N를 사용하였다. 열화 특성측정을 위해 150분동안 열처리를 하여 열처리 전후의 Eu2+의 농도 변화를 ESR 를 통하여 측정하였다. 형광체 표면위에 코팅된 SiO2 박막의 평가를 위해 FE-SEM, TEM, XPS를 이용하여 분석을 행하였다. 또한 SiO2 박막이 코팅된 형광체의 열처리 전후의 코팅 된 형광체와 코팅되지 않은 형광체의 광학적 특성 분석 및 lifetime 측정을 위해 PL 을 이용하여 발광 특성 및 효율 그리고 lifetime을 측정하였으며 코팅한 형광체의 경우 표면의 부동태화 처리를 통하여 낮은 Eu2+ 농도변화를 나타내였고 그 결과 열처리후 코팅하지 않은 형광체에 비해 17%의 휘도 상승을 이루었다. |
| 저자 | 정영규, 김혁종, 김희규, 최병호 |
| 소속 | 국립금오공과대 |
| 키워드 | 원자층증착법; SiO2; TEOS; thermal degradation |
