| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2002년 가을 (10/11 ~ 10/12, 군산대학교) |
| 권호 | 27권 2호, p.44 |
| 발표분야 | 특별 심포지엄 |
| 제목 | 포토레지스트의 동향과 전망 |
| 초록 | 최근 반도체 소자의 직접도가 급속하게 증가함에 따라, 그에 사용되는 원부재료의 성능도 함께 개선되어지고 있다. 그러나 기타 원부재료와는 달리 리소그라피 공정에 사용되는 포토레지스트의 개발속도는 매우 느린편에 속한다. 개발속도가 지연되는 가장 큰 이유는 미세공정으로 진행될수록 포토레지스트를 조제할 수 있는 화합물의 재료가 한정되기 때문이다. 예를 들어 설명하면, 과거 i-Line 포토레지스트나 g-Line 포토레지스트에 사용된 화합물은 노블락 수지인데 비해 최근 공정에 사용되어지고 있는 ArF 레지스트의 원재료는 방향족기가 없는 수지를 사용하고 있다. 향후 사용하게될 F2 레지스트의 경우에는 불소화합물을 사용하지 않으면 안될 위기에 놓여 있다. 반도체의 고직접화는 단파장인 노광기를 요구하게 되고, 파장이 짧아질수록 그 파장에 흡수가 적은 화합물의 개발은 어려워 진다. 이번 발표에서는 반도체가 고직접화로 갈수록 포토레지스트는 어떻게 개발되어지고 있고, 향후는 어떤 재료가 도입될 것인지에 대한 것입니다 |
| 저자 | 김성주, 박주현 |
| 소속 | 금호석유화학(주) 아산(연) |
| 키워드 | ArF; 193nm; 포토레지스트 |
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