| 초록 |
본 발표에서는 저희 그룹이 지난 2005년부터 보고한 유기메모리 개발의 연구 결과에 대한 발표를 하고자 합니다. 저희는 주로 유기박막트랜지스터 (OTFTs)의 게이트 전열막과 유기반도체층 사이에 전하를 trap할수 있는 소재를 삽입하여 비휘발성 메모리 소자를 개발 하고 있습니다. 이러한 소재로써 그동안 연구되었던 물질은 polymer electrets, 금속 나노 입자, 단분자 유기반도체 물질등이 있으며 이들은 각재료의 특성에 따라서 다양한 메모리 특성을 보여 주었습니다. 따라서 이러한 재료의 물성과 구조를 최적화 하여 우수한 성능의 비휘발성 메모리를 제조 할수 있었습니다. 이에 대한 구체적인 연구 결과를 논의 하고자 합니다. 또한 이를 통해 최적화된 높은 성능의 유기 비휘발성 메모리 소자를 제조할수 있었으며, 최근에는 일체인쇄공정 (Monolithic Printing)으로 제조된 유연 유기메모리 소자 및 NAND 메모리 회로를 구현 하였습니다. 이러한 결과도 논의 하고자 합니다. |
