| 초록 |
유기전기발광소자의 정공 주입이 원활하게 하기 위해 사용되는 m-MTDATA의 박막을 자기장 내에서 제조, 박막 제조 후에 열처리 및 자기장을 각각의 처리를 하여 박막의 토폴로지(Ra, Rrms, Rpv)를 관찰하였으며, ITO/m-MTDATA/Al의 단층소자를 제작 I-V에 미치는 영향을 관찰하였다. 자기장 속에서 형성된 ITO/m-MTDATA/Al 소자의 토폴로지와 I-V 특성을 측정한 결과 자기장의 영향으로 평탄한 표면을 나타내며, 인가된 자기장의 세기가 증가 할수록 소자의 전류의 흐름이 향상 되는 것을 알 수 있었다. 그리고 박막 제조 후에 열처리 및 자기장을 처리한 ITO/m-MTDATA/Al 소자의 경우는 같은 전압에서 전류의 흐름은 더 향상 되었으나 안정성은 떨어지는 것이 확인되었다. 각각의 조건에서 ITO/m-MTDATA/Al 소자의 I-V 특성을 보면 박막의 Ra, Rrms, Rpv 수치와 매우 큰 관련성이 나타났다. 이로써 낮은 Ra, Rrms는 동일한 전압에서 전류의 흐름이 향상 되지만 높은 Rpv로 인해 소자의 안정성이 저하됨을 확인하였다. |
