| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 |
13권 1호 |
| 발표분야 |
전자재료 |
| 제목 |
N2O/N2 플라즈마를 이용한 폴리카보네이트의 건식 식각(Dry Etching of Polycarbonate in N2O/N2 Plasma) |
| 초록 |
현재 기존의 실리콘 웨이퍼를 대체하여 구부릴 수 있고 값이 싼 플라스틱 반도체가 각광을 받고 있다. 그 중에서 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)는 높은 내충격성(판유리의 250배의 충격강도), 내열성, 투명성(약92% 투과율) 등의 특징을 가지고 있으나 첨단 소자 제작 물질로는 개발이 미흡하다. 본 연구는 Reactive Ion Etching System을 이용하여 폴리카보네이트의 건식 식각에 대한 것이다. 건식 식각을 위한 미세 패턴 마스크 형성은 3.5x3.5cm2 크기의 폴리카보네이트 위에 스핀 코팅(Spin coating)을 이용해 감광제(Photoresist)를 도포한 후, 마스크를 이용한 UV 노광, 감광제 현상 (developing)에 의한 리소그라피 방식을 이용하였다. 공정 변수로는 RIE chuck power(25W~150W), N2O와 N2의 성분비(0~100%), 가스 유량(10sccm~40sccm), 그리고 sample의 size(1x1~4x4cm2)를 변화시켰다. Alpha-step을 이용하여 공정 후 샘플의 식각 높이와 식각율, 선택비, 표면 거칠기를 분석하였다. N2O와 N2의 성분비에서는 N2의 함유량이 많을수록 식각율이 낮아지고(0.29~0.14um/min), RIE chuck power가 높을수록 식각율이 높아진다는 것(0.06~0.32um/min)을 알 수 있었다. 그러나 N2의 함유량이 많고 RIE chuck power가 높을수록 선택비가 낮아진다는 것을 알 수 있었다. 실험 중에는 OES(Optical Emission Spectroscopy)를 이용하여 식각 공정중의 플라즈마의 발광 특성을 분석하였다. 본 결과를 통하여 N2O/N2 플라즈마를 이용하여 폴리카보네이트의 건식 식각 공정 기술 개발을 보고하고자 한다. |
| 저자 |
주영우1, 이제원2, 김재권1, 박연현2, 강상구1, 백인규2, 조관식1
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| 소속 |
1인제대, 2Center for nano manufacturing |
| 키워드 |
플라즈마; 건식식각; 폴리카보네이트; RIE
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| E-Mail |
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