| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
20권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
ICP (Inductively Coupled Plasma) assisted Sputtering System에서의 a-IGZO 박막특성의 변화 |
| 초록 |
차세대 디스플레이 소재로써 각광받고 있는 IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 물질은 기존에 사용되던 Amorphous Silicon에 비해 전자 이동도가 20~50배정도 빠르기 때문에 차세대 디스플레이 재료로써 각광을 받고 있다. IGZO 박막 증착은 Solution Process, Sputtering 등 다양한 증착방법을 통해 연구되고 있으며, 이러한 증착방법에 따라서 박막의 특성 및 그로인한 소자특성이 달라지기 때문에 IGZO 박막에 있어 증착방법은 매우 중요한 요소 중 하나이다. IGZO 박막의 증착에 있어 많이 연구되고 있는 Sputtering 방법은 장치의 대중성 및 높은 증착속도의 측면에서 많이 연구되고 있지만, 이 경우 플라즈마내에 높은 에너지를 갖는 이온에 의한 충격으로 박막의 표면이 파괴되고 여러 형태의 결함이 생기게 되어, 이로 인한 소자의 Damage 현상이 발생하는 등 많은 문제점들을 지니고 있다. 이러한 단점을 극복하고자 본 연구에서는 DC Magnetron을 이용하는 Sputtering System에 ICP (Inductively Coupled Plasma)를 이용하여 Plasma Assisted Sputtering System으로 박막 증착 연구를 진행하였으며, 다양한 Plasma 조건하에서의 IGZO 박막의 변화에 대해 연구를 하였다. Hall Effect Measurement를 통하여 박막의 전기적인 특성 분석을 진행하였으며, XRD (X-Ray Diffraction)를 통해 결정구조에 대한 분석하였으며, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscpoy)로는 박막의 조성을 분석하여 진행하였다. |
| 저자 |
이철희, 김태형, 이승민, 김경남, 배정운, 염근영
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| 소속 |
성균관대 |
| 키워드 |
IGZO; 전자 이동도; sputter
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