| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 23권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 새로운 p형 질산화물 반도체 |
| 초록 | 산화물 반도체는 금속산화물로 이루어진 반도체로서 밴드갭이 커서 투명한 특성을 지니고 있으며 주로 능동구동 디스플레이용 Backplane 소자로 연구되고 있다. 또한 대면적 공정이 용이하여 디스플레이 산업에서 AMOLED 의 Backplane TFT 나 고속 구동을 위한 LCD의 Backplane TFT 로 각광 받고 있다. IGZO로 대표되는 n형 산화물 반도체의 경우 실용화 단계까지 진행되었으나 p형 산화물 반도체의 경우 아직 연구가 활발히 진행중이다. 대표적으로 SnOX, NiOX, CuXO 등이 연구중이지만 n형 산화물에 비해 낮은 이동도와 점멸비 때문에 CMOS 소자로의 적용에는 아직 어려움을 겪고 있다. 본 연구에서는 이온화도가 큰 X 금속 물질을 이용하여 질산화물 반도체를 제작하였다. SiO2 기판 위에 질산화물(XON)을 DC reactive magnetron sputtering 으로 증착하였다. 증착 후, 다양한 온도에서 대기, 산소, 질소 분위기로 후속 열처리를 진행하였다. 전기적 특성을 파악하기 위해 Hall effect 측정을 하였다. 열처리 온도와 분위기에 따라 홀 이동도와 캐리어 농도의 변화를 관찰 하였다. 질소 분위기에서 500°C 후속 열처리한 박막의 경우 가장 높은 1.30 X 102 cm2/Vs 의 홀 이동도와 3.82 X 1014 cm-3 의 캐리어 농도를 나타내었다. |
| 저자 | 김태중, 신연우, 이지원, 정재경 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | p형 반도체; 산화물반도체; 질산화물반도체 |
