| 초록 |
최근 nano-size의 Lithography 기술 개발을 위해 Nano Sphere Lithography Technique에 대한 연구가 널리 행해지고 있다. 금속 나노입자의 크기, 간격 등을 쉽게 조절할 수 있고, 다양한 기판의 사용, 나노입자의 배열을 대면적 기판으로 쉽게 구현할 수 있는 Nano Sphere Lithography는 Patterned Media 구현을 위해 각광받는 기술이다. 본 연구는 Polystyrene 이라는 구형 고분자를 이용하여 여러가지 형태의 nano-pattern을 제작하는 기술로써 크게 세 가지 형태(Hexagonal, Hole, Honeycomb)의 pattern을 제작하였으며 각 실험에 따라 70nm~400nm size의 pattern 구현이 가능하다. Hexagonal, Hole pattern은 GaN 기판을, Honeycomb pattern에서는 glass 기판을 사용하였다. 세 가지 pattern 모두 알코올에 분산시킨 polystyrene(PS) nano sphere solution을 spin-coating하여 기판표면에 도포한다. 여기에 2% sodium-dodecylsulfate solution을 첨가하여 monolayer의 균일도를 조절한다. PS monolayer의 균일도는 PS 분산 농도와 spin speed, sodium-dodecylsulfate solution의 첨가에 따라 결정되며 FE-SEM을 이용하여 그 결과를 확인하였다. Spin-coating 후, 각 기판에 E-beam evaporator와 Thermal evaporator를 이용하여 Au를 증착하고 증착 시간과 증착 비율에 따른 pattern의 형태를 비교한다. Pattern의 형태는 FE-SEM과 AFM을 이용하여 분석하였으며 비교적 균일한 형태의 pattern을 얻을 수 있었다. |
