| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2011년 가을 (10/27 ~ 10/29, 신라대학교) |
| 권호 |
17권 2호 |
| 발표분야 |
A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
| 제목 |
Si wafer의 wet etching 시 etching속도에 미치는 온도 영향 |
| 초록 |
전자산업의 소형화와 경량화 추세에 맞추어 집적 칩이나 패키지를 적층하는 삼차원 직접화 기술 개발이 차세대 핵심기술로 중요시 되고 있다. 특히 모바일이나 테블릿 PC 시장에서는 칩의 소형화와 더불어 경량화된 제품들이 요구된다. 이와 같이 삼차원 직접화 기술의 연구개발에 따라 수십 ㎛ 이하의 초박막 실리콘 웨이퍼가 요구되고 있는 실정이다. 실리콘 웨이퍼의 연마 방법으로는 기계적 연마방법, 화학기계연마방법, 습식에칭방법, 플라즈마를 이용한 건식방법 등이 있다. 기존의 방법에서는 기계적 연마에 의한 표면손상과 습식방법에서의 평탄도 저하로 인해 기계 연마 후 화학적 에칭을 하는 화학기계연마방법이 주로 사용되고 있다. 하지만 단일 웨이퍼 가공에 의한 생산성 저하 등이 문제로 지적되는 실정이다. 이에 본 연구에서는 Spray-Down법을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 에칭하고 에칭 액의 온도변화가 에칭 속도에 미치는 영향을 관찰하기 위해 실리콘 표면의 거칠기와 평탄도 그리고 웨이퍼 두께를 측정하였다. |
| 저자 |
이현용1, 서승국1, 노재승1, 고성우2
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| 소속 |
1금오공과대, 2(주)이코니 |
| 키워드 |
wet etching; spray down; Si wafer; slim etching
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