| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/27 ~ 10/29, 신라대학교) |
| 권호 | 17권 2호 |
| 발표분야 | A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
| 제목 | 화학적 etching에 의한 Si wafer의 slim화에 따른 표면특성 변화 |
| 초록 | 반도체 실리콘 웨이퍼를 평면 연마하는 기술로는 mechanical grinding, chemical mechanical polishing, wet etching, dry chemical etching등이 있으며, 현재까지 CMP(Chemical Mechanical Polishing,화학적 기계적 연마)가 독보적인 기술이다. 그러나 CMP는 한 장씩 처리되어짐에 따라 느린 처리속도로 생산성이 저하된다는 단점이 있다. 그리하여 다량의 실리콘 웨이퍼를 spray down 방식을 이용하여 chip이 적층된 실리콘 웨이퍼를 화학적 방법으로 편측 식각하여 얇게 만드는 연구가 진행되고 있다. 화학적 방법으로 식각을 하게 된다면 대량 생산이 가능하고, 고품질의 초박막 웨이퍼를 제조할 수 있는 장점이 있다. 따라서 본 연구는 화학적 etching을 이용하여 Si wafer를 slim화 할 때 etchant의 종류 및 조성에 따른 Si wafer의 표면 특성 및 물성 변화에 영향을 주는 인자에 대하여 연구할 예정이다. |
| 저자 | 김범준1, 노재승1, 서승국1, 고성우2 |
| 소속 | 1금오공과대, 2(주)이코니 |
| 키워드 | wet etching; spray down; Si wafer; slim etching |
