| 초록 |
본 연구에서는 Al2O3 기판 상에서 성장된 그래핀을 패터닝된 고분자 도장을 이용하여 원하는 기판에 직접적으로 전이하는 쉽고 효율적인 공정 기술을 보고한다. Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 성장된 Al2O3 기판은 표면 에너지가 매우 낮기 때문에 그 위에 성장된 그래핀을 타겟 기판으로 쉽게 전이할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 이 점을 이용하여 우리는 Al2O3 기판 상에서 성장된 그래핀을 micro contact printing (MCP) 방법으로 원하는 기판에 직접 전이하는 공정을 개발하였다. 보다 완벽한 전이를 위하여 PDMS 도장에 N,N-dimethylformamide (DMF)를 200 °C 에서 기상 증착하였고, 도장에 전이된 그래핀은 플라스틱 및 SiO2 기판에 쉽게 전이된다. MCP 방법을 통한 그래핀 전이 기술은 다양한 패터닝이 가능하다는 장점을 가지며, 전이 전, 후 그래핀의 라만 스펙트럼 분석 비교를 통하여 특성의 변화가 거의 없음을 확인하였다. 이 방법으로 polyethylene terephthalate (PET) 기판에 전이된 그래핀은 ohmic한 I-V 전류 특성을 보였으며 기판을 휘거나 구부렸을 때도 그 특성이 변하지 않았다. 또한 3000번의 bending test에도 그 특성이 유지되었으며 다양한 곡률상에서도 안정적인 전류 값을 나타내었다. |
