| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 봄 (04/27 ~ 04/28, 연세대학교) |
| 권호 | 7권 1호, p.2006 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 중성리간드(L)가 구리 MOCVD 공정에 미치는 영향 |
| 초록 | TG-DSC에서 관찰된 1가 구리 전구체의 중성리간드(Cu(I)-L) 분해 온도는 전구체의 열적 안정성에 미치는 요소이며 MOCVD process window을 결정하는 중요 변수 있었다. 또한 박막의 미세구조와 결정성은 증착 온도와 중성리간드와 밀접한 관계가 있었다. 본 실험을 통해 1가 구리 전구체는 전구체 고유 특성을 고려해 MOCVD 공정에 선택되어야 함을 알 수 있었다. |
| 저자 | 최경근, 이시우 |
| 소속 | 포항공대 화학공학과 |
| 키워드 | Copper; CVD; Neutral ligand; Texture |
| 원문파일 | 초록 보기 |
