| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/26 ~ 04/27, 강원대학교) |
| 권호 | 8권 1호, p.2089 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | ICP type 이온건을 이용한 실리콘 표면의 원자층 식각{{Theories and Applications of Chem. Eng., 2002, Vol. 8, No. 1}} |
| 초록 | 본 연구에서는 현재 반도체 소자의 주류를 이루고 있는 Si MOSFET은 1958년 노벨상 수상자인 Kilby에 의해 집적기술이 적용되면서 매년 2배씩 트랜지스터 집적도가 증가되어 왔으며, 십 년마다 1000배씩 성능향상을 이루었다. 이러한 추세로 계속된다면, 2008년에 70nm급의 64G DRAM, 20014년에 35nm의 1Tera의 DRAM이 개발될 것으로 전망되고 있 다., 트랜지스터의 게이트 길이가 70nm 이하로 줄어들면 전자숫자의 불균일에 따른 오작동, 배선 길이가 길어지고 선폭이 좁아짐에 따른 게이트 절연막 터널일에 의한 허용치 이상의 누설 전류 등과 같은 기술적 한계와, 10nm에 이르면 열적 진동 및 양자역학적 진동에 의한 오작동 등과 같은 현재의 기술로는 극복할 수 없는 물리적 한계에 도달하고 있는 것으로 판 단되고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위해서 현재 필요로 하는 기술로 나노 노광 (lithography)기술, 나노 증착(deposition)기술, 전기적 물리적 무손상 식각(etching)기술이 요 구되고 있다 |
| 저자 | 정세훈, 최지영, 조성민 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | OLED |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
