| 초록 |
대기압 플라즈마 기술은 기존의 진공 플라즈마 기술에 비하여 복잡한 진공장비가 불필요하고 피처리물의 크기에 대한 제약이 상대적으로 적으며, 고농도의 반응활성종을 형성시키는 것이 가능하여 빠른 공정속도를 갖는다. 따라서 최근 세정, 표면활성, 코팅, polymerization, 살균 등 다양한 분야에서 대기압 플라즈마를 이용한 연구가 활발히 진행되고 있다. 포토레지스트를 이용한 패턴공정은 반도체, 디스플레이, 전자부품 등의 제작에 있어서 필수적으로 요구되는 것이다. 본 연구에서는 전자패키징에서 필수적으로 요구되는 패턴공정 후 잔존하는 포토레지스트를 기존의 진공플라즈마 공정이 아닌 대기압 플라즈마 공정을 이용하여 제거하였다. 대기압 배리어 방전은 주파수 30kHz 의 AC 전원을 이용하여 포토레지스트가 코팅된 실리콘 기판과 두개의 실린더 형태의 전극사이에서 형성시켰다. 방전을 짧은 주기의 펄스형태로 발생시킴으로써 실리콘기판의 온도를 상온으로 유지 될 수 있도록 하여 에싱과정에서 산화물이 형성되는 것을 최소화 하였다. 에싱을 위한 반응가스로는 공기, 헬륨, 아르곤, 산소 등 다양한 가스들을 조합하여 사용하였다. 포토레지스트의 에싱 전후의 두께 변화와 에싱 중의 표면관찰을 통하여 가스종류 및 조성이 포토레지스트의 에싱에 미치는 영향을 분석 고찰하였다. |
