| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (10/29 ~ 10/30, 호서대학교(아산캠퍼스)) |
| 권호 | 8권 2호 |
| 발표분야 | 정보,전자소재 |
| 제목 | 유도 결합 플라즈마 반응성 이온식각을 이용한 NbOx nanodot의 식각 메카니즘 연구 |
| 초록 | 최근 nanodot의 형성과 응용분야에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 Si nanodot은 nanoelectronics, MEMS, 반도체 기억 소자 등의 분야에 적용하는 연구가 진행 중에 있다. 그러나 현재까지 개발된 nanodot배열의 형성 기술은 lithography와 식각공정을 이용하기 때문에 복잡한 공정과 고 비용이 드는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 Al의 양극산화 공정을 이용하여 자기조립된 금속물질을 식각마스크로 이용하여 nanodot을 형성하는 방법이 제안되고 있다. 본 연구에서는 Al과 Nb박막을 연속으로 증착하여 Al을 양극산화 시킴으로써 NbOx 나노기둥의 배열을 형성시킨다. 이렇게 자기 조립된 NbOx nanodot은 고밀도 유도 결합 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각을 통해 NbOx의 식각 특성을 연구하여 nanodot 배열의 형성시 식각마스크로서 응용될 수 있는 가능성을 조사하였다. Cl2 가스를 식각 가스로 선택하여 Cl2의 농도, coil rf power, 그리고 dc bias voltage의 변화에 따른 식각 속도를 조사하였고 field emission scanning electron microscopy를 이용하여 식각 프로파일을 관찰하였다. 또한 transmission electron microscopy-energy dispersive x-ray analysis 와 Auger electron spectroscopy 분석을 통해서 NbOx nanodot의 식각 프로파일과 NbOx nanodot 측면의 재증착 성분을 분석함으로써 식각 조건의 변화에 따른 NbOx nanodot의 식각 메카니즘을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 박익현, 이장우, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | NbOx; 반응성 이온식각; nanodot |
