| 초록 |
게이트절연막의 높은 유전상수와 유기반도체와의 좋은 접합은 유기박막트랜지스터의 특성을 개선에 주요한 요인으로 작용한다. 본 실험에서는 무기 산화물 전구체인 금속(Ti, Ta, Zr)알콕사이드와 유기고분자를 이용하여 유기 고분자의 단점인 낮은 유전율과 금속 알콕사이드의 높은 누설전류를 개선하고자 하였다. 딥코팅 방법을 이용한 절연막 두께조절을 통해 낮은 구동전압으로의 개선이 가능하였으며 무기 절연체의 높은 누설전류가 개선되여 우수한 절연 특성을 나타냈다. Ti 전구체 97%가 들어간 복합 절연막의 경우, 35nm 정도의 얇은 절연막 두께, 13 정도의 유전상수를 얻을 수 있어서 1V정도의 낮은 전압으로도 구동함을 출력특성(output characteristic)을 통해 확인하였다. 전달특성(transfer characteristic) 곡선으로부터 점멸비 2.0x107, subthreshhold 0.47V/dec, 이동도 2.4Cm2/Vs를 구했다. 저온 공정이 가능하고 대면적에 응용 가능한 유-무기 복합형 절연막의 새로운 제조를 통해 차세대 인쇄전자 기술에 접목 가능한 방법이 모색되었다. |
