| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 고유전 산화막 Lanthanium oxide의 PEALD 증착법 |
| 초록 | PEALD 방법은 낮은 공정 온도에서 증착이 가능하고, 미세하게 두께 조절이 가능하다. MO소스 와 reactant 가스 주입 시간 가운데 퍼지 공정이 있어서 잔류 반응 가스들을 제거하기 때문에 박막내 불순물 함량이 적은 박막을 얻을 수 있다. Conventional ALD 보다 plasma를 사용하기 때문에 박막의 밀도를 향상시킬 수 있고, MO소스의 리간드를 분해를 용이하게 하고, reactant 가스와의 반응을 활성화시킨다. 본 연구에서 PEALD 방법으로 증착한 Lanthanium oxide의 High-k 게이트 산화막 적용 가능성을 확인하기 위해 물리적,화학적,전기적 특성을 조사했다. Lanthanium oxide는 높은 유전 상수 값을 가지고, Si 계면과 안정한 특성이 있고, Si 과 반응해서 계면을 형성하지 않는다는 장점이 있다. PEALD 방법으로 증착한 Lanthanium oxide 의 증착 조건에 따른 미세 구조를 조사하고, 미세 구조에 따른 유전율, 누설 전류 등과 같은 전기적 특성을 평가했다. 그리고 계면의 형성 여부를 TEM을 통해 알아보고, 계면 형성에 따른 유전율과 누설 전류를 평가했다. 미세 구조와 전기적 특성 결과를 토대로 Lanthanium oxide의 게이트 산화막으로 가능성 여부를 확인할 것이다. |
| 저자 | 이은주, 고명균, 김범용, 박상균, 김헌도, 박종완 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | high-k; PEALD; gate oxide |
