| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Se 도핑된 GeSb 상변화물질 특성연구 |
| 초록 | 차세대 메모리 소자 중 하나인 PCRAM은 낮은 공정 비용, 비휘발성, 20nm이하 소자의 제작 등 많은 장점을 가지고 있다. 하지만, Ge2Sb2Te5를 포함해 현재 많이 사용되고 있는 상변화 물질은 낮은 결정화 온도, 긴 결정화 시간, 큰 전력 소모, 동작시 낮은 안정성 등이 문제가 되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 기존에 GeSb 상변화 물질을 연구하였고, 이번 연구에서는 기존 GeSb에 Se을 도핑한 GeSbSe박막의 특성을 연구하였다. 본 연구에서는 Sputter를 이용하여, Ar 분위기에서 Ge, Sb, Se 각각의 pure target을 co-sputtering방법으로 증착하여 Ge10Sb90Sex 박막을 형성하였다. 박막의 결정화온도, 녹는점의 확인을 위해, Differential scanning calorimetry(DSC)를 이용하였고, sheet resistance 측정을 위해 4-point-probe, 결정구조 및 원소들의 결합상태 확인을 위해 X-ray diffraction pattern(XRD), X-ray Photoelectron spectroscopy(XPS)를 측정하였다. 이를 통해 기존 상변화 물질에 비해, 결정화 온도 증가, 녹는점 감소, 면저항 증가 등의 향상된 특성을 보여, 상변화 메모리의 후보물질로써의 사용가능성을 확인하였다. |
| 저자 | 김정훈, 고대홍 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | GeSbSe; phase change material; PCRAM; DSC; 상변화메모리 |
