화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교)
권호 11권 2호
발표분야 반도체재료
제목 Mo 기판위에서 Ag 첨가에 의한 Cu 박막의 특성조사
초록 Ag는 낮은 온도에서 Cu에 immiscible하고, 첨가되는 Ag 1at%.당 낮은 저항증가를 보이며, Cu내에서 매우 빠른 확산계수를 가지고 있다. 이와 같은 특성을 가진 Ag을 Cu 박막내부에 첨가하여 미세구조, 비저항, 응력완화, 입자성장 등을 관찰 하고자 하였다. Mo 기판 위에서 열처리를 통하여 비저항, 표면거칠기, 우선배향성장, 입자성장, 확산특성을 관찰하였다. Cu(Ag) 2000Å두께를 600°C에서 열처리를 실시했을 경우 2.1μΩ-cm 의 낮은 비저항을 갖는다. 비저항의 감소는 Ag의 석출 및 입자성장에 영향을 받는다. Cu/Mo/Si의 다층박막인 경우에 300°C의 열처리 온도에서 응력완화가 일어나고, Cu(Ag)/Mo/Si의 Ag가 첨가된 다층박막의 경우에는 350°C의 열처리 온도에서 응력완화가 일어나는 것을 관찰하였다. Ag의 첨가로 Cu 박막내에서 Stress 저항성, Void형성 억제 및 낮은 비저항 값을 확인하였다. 또한 Ag 첨가로 Mo 기판위에서 우수한 접착력인 30N의 critical load(Pure Cu 20N)값을 확인하였다.
저자 이현민, 이재갑
소속 국민대
키워드 Metallization; Cu(Ag) alloy; annealing; reliability
E-Mail