| 초록 |
실리콘 직접 회로기술의 발전함에 따라 반도체 소자가 소형화 되고 집적화 되어, 반도체 소자와 소자간의 간섭현상이 큰 문제가 되고있다. 이를 해결하기 위해 소자 간을 분리하는 공정이 도입 되었는데, 현재 가장 널리 사용되고 있는 공정은 STI (Shallow Trench Isolation) 공정이다. STI공정에서 제일 중요한 요소 중 하나가 Si3N4만을 선택적으로 etching하는 것인데, Si3N4/SiO3의 selectivity가 낮을 경우SiO2층에 손상을 야기시켜 electrical current leakage를 유발 시킨다. 현재 STI공정에서 주로 쓰이는 echant는 고순도 phosphoric acid (H3PO4)로써, Si3N4/SiO3의 selectivity는 50 : 1 수준이다. 현재 H3PO4 를 이용해 Si3N4를 선택적으로 etching시키는 것에 관한 연구는 진행되어 있으나, 이 echant에 신 물질을 첨가해 selectivity를 높이는 연구는 진행된 바가 거의 없는 실정이다. 본 연구에서는 기존 echant에 신 물질, HCl, O3, 양이온성 /음이온성/비이온성 계면활성제를 첨가하여 50 : 1 보다 더 높은 선택비가 나오는지 분석하였다. 본 연구는 측정기기로 ellipsometer를 사용하며, 시간에 따른 Si3N4/SiO3 의 두께 변화를 측정하였다. |
