| 초록 |
ZrTiO4는 뛰어난 열 안정성 및 높은 유전상수, 낮은 유전 손실율등의 장점을 가지고 있어 캐패스터, 압전 센서, 초음파 유전 공명체와 같은 전기적, 광학적 장치등으로 이용되고 있으나 대부분의 강유전체가 그렇듯이 약간의 조성 변화에도 물성이 크게 변하기 때문에 적용에 어려움이 있다. 그러므로 ZrTiO4의 조성 조절성을 갖는 공정 개발이 시급한 문제로 대두되고 있다. 본 연구에서는 조성 조절성을 갖는 ZrTiO4박막을 형성하기 위해 TiO2, ZrO2 단성분 산화물을 적층형으로 증착시키고 열처리를 통한 상호 확산으로 ZrTiO4막을 형성하였다. ZrTiO4의 조성비를 결정하는 TiO2와 ZrO2의 단성분막의 두께비는 조절 용이성과 재현성을 갖게 하기 위해 기존의 CVD방법과는 달리 set point에서의 dwell-time을 매우 짧게하고 온도를 변화시켜가면서 반복적 증착을 하는 ALD와 유사한 방법을 채택하여 증착시켰다. 각 단성분막의 증착과 열처리를 통해 형성된 막은 WDX, XRD, SEM, AFM, P-E analyzer등의 분석 장비를 통해 구조적, 물리적, 화학적, 전기적 특성등을 분석하였다. |
