| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 |
15권 2호 |
| 발표분야 |
G. Display (LCD, PDP, OLED) Materials(디스플레이 재료) |
| 제목 |
Improved characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors by UV treatment |
| 초록 |
amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO)는 산화물반도체 재료로서 높은 이동도, 낮은 공정온도, 넓은 밴드갭등 많은 장점을 가지고 있어 최근 많이 연구되고 있는 소재이다. 본 연구에서는 a-IGZO 박막의 UV light 조사에 따른 전기적 특성 변화를 연구하였다. Thin Film Transistor(TFT)는 bottom gate 구조로 제작되었고, a-IGZO박막을 sputter 방법으로 증착 후 UV light를 각각 0, 30, 60분 조사하였다. a-IGZO based TFT의 W/L = 40/50 um에서 전기적 특성을 측정한 결과 UV를 조사한 트랜지스터는 UV를 조사하지 않고 제작한 트랜지스터보다 전계 효과 이동도 3.2 cm2/Vs에서 11.1 cm2/Vs으로 증가하였고, subthreshold swing (SS) 및 on/off ratio는 1 V/decade에서 0.25 V/decade, 3.8 x 106에서 2.1 x 108으로 전기적 특성이 크게 개선되었다. UV light를 a-IGZO 박막에 조사하면 박막내 캐리어 농도는 크게 증가하고, 높아진 캐리어 농도는 소스/드레인과 a-IGZO의 접촉저항 및 채널의 저항을 크게 줄여주는 역할을 한다. 그 결과 Vd=10 V에서 메탈과 a-IGZO의 접촉저항(Rc)과 a-IGZO의 저항(Rs)은 7.4 x 105 Ω에서 3.2 x 104 Ω으로, 7.23 x 107 Ω에서 4.44 x 104 Ω으로 크게 감소하여 TFT의 전기적 특성이 개선되었다. |
| 저자 |
조영제1, 최덕균1, 박경윤1, santosh M.bobade1, 김현호2, 이재갑2
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| 소속 |
1한양대, 2국민대 |
| 키워드 |
IGZO; IZGO; TFT; UV
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| E-Mail |
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