| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2009년 봄 (04/15 ~ 04/17, 호텔인터불고(대구)) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 신진과학자 세션 |
| 제목 | 고감도 인갈륨비소계 금속-반도체-금속 광탐지기 |
| 초록 | 레이다 ( laser detection and ranging, LADAR) 시스템의 탐지기 ( detector ) 활용을 위한 InGaAs 계열의 고감도 metal-semiconductor-metal photodetector (MSM PD)가 시연되었다. 실온에서 InGaAs의 schottky barrer height는 01.~0.2 eV로 매우 작은 값을 가지면, 이러한 특성은 큰 dark current의 원인이 된다. InAlAs schottky enhancement layer (SEL) 를 채택하여 dark current를 줄여 device의 성능을 크게 향상 시켰다. 또한, ‘smart design’을 통하여 signal to noise 비율을 높일 수 있었다. |
| 저자 | 장수환 |
| 소속 | 단국대 |
| 키워드 | 인듐갈륨비소; 광탐지기 |
