| 초록 |
PECVD법을 사용하여 Si기판위에 PbTiO3 박막의 증착 및 증착조건을 확립하고, 급속열처리 방법에 의한 PbTiO3박막의 구조적, 전기적 특성의 개선을 연구하였다. PbTiO3 박막을 제조하기 위하여 TTIP와 Pb(tmhd)2의 운반기체인 Ar의 유속, 기판의 온도, 반응기의 압력 및 plasma power등을 변화시키면서 실험하였다. Fig. 3은 350℃에서 증착된 박막의 raman spectrum이다. 200.5, 276.5, 322.5, 448.5, 510.5과 627.0cm-1에서 PbTiO3 peak가 나타났는데 PbTiO3 bulk의 raman spectrum과 잘 일치하고 있다. 200.5, 276.5, 448.5과 627.0cm-1는 PbTiO3박막의 longitudinal -optical phonon이고 322.5, 510.5cm-1는 PbTiO3 transverse-optical phonon을 나타낸다. 이러한 결과는 XRD분석결과와도 일치하고 있다. 기판온도에 의한 PbTiO3박막의 증착속도의 변화를 알아보기 위해서 온도를 250℃에서 450℃까지 변화시켜가면서 박막을 증착하였다. 온도가 증가할수록 증착속도가 증가하였다. Plasma power에 의한 PbTiO3박막의 증착속도의 변화를 알아보기 위해서 plasma power를 30W에서 120W까지 변화시켜가면서 박막을 증착하였다. Plasma power가 높아짐에 따라서 증착속도가 증가하였다. 급속열처리에 의한 영향을 보기 위하여 시간을 1분으로 고정하고 온도를 500℃, 600℃, 700℃, 800℃에서 열처리를 하였다. 열처리한 박막을 XRD분석결과 온도가 증가할수록 PbTiO3박막의 peak가 증가하였으나 박막의 두께가 감소하고 morphology가 거칠어졌다.
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