| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 봄 (05/14 ~ 05/14, 강릉대학교) |
| 권호 | 10권 1호 |
| 발표분야 | Display |
| 제목 | 박막 트랜지스터 제조를 위해 플라스틱 기판에 형성된 다결정 실리콘 박막의 전기적, 구조적 특성 |
| 초록 | 1. 서론 최근 소자의 경량화에 따라 기존에 많이 이용되던 유리 기판을 대신하여 플라스틱 기판을 기반으로한 소자에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 플라스틱 기판에 R.F 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 비정질 실리콘을 증착 후 엑시머 레이저를 이용하여 다결정 실리콘 박막을 제조하여 박막 트랜지스터 제작을 위한 전기적, 구조적 특성을 관찰하였다. 2. 실험 방법 R.F 마그네트론 스퍼터링으로 박막내 Ar 함량을 최소화 하기 위하여 Ar/He 혼합가스를 이용하여 비정질 실리콘을 120℃에서 50nm 두께로 폴리카보네이트 기판에 증착후 엑시머 레이저를 이용하여 다양한 에너지 밀도에서 결정화하였다. 박막의 전기적 특성은 상온에서부터 120℃ 사이에서 전기전도도 활성화 에너지 그리고 이온 도핑 후 에너지 밀도에 따른 면저항의 변화를 측정하였다. 결정화에 따른 결정립의 크기는 TEM을 이용하였다. 3. 실험 결과 그림 1은 Ar과 Ar/He 가스를 이용하여 증착한 박막을 결정화한 후 전기전도도 특성을 나타낸 것이다. 직선모양으로부터 국재준위 사이를 전자가 양자역학적 터널링 현상으로 뛰어서 이동하는 형태인 hopping 전도 등이 없이 활성화 된 것을 알 수 있다. 그림 2는 다결정 실리콘 박막의 TEM 사진이다. 결정립의 크기는 300∼500nm 정도임을 알 수 있다. 그림1. 다양한 에너지 밀도에서의 전기전도도 변화 그림2. 다결정 실리콘 박막의 TEM image |
| 저자 | 조세현1, 이인규1, 김영훈2, 문대규2, 김원근2, 한정인2 |
| 소속 | 1한국항공대, 2전자부품(연) |
| 키워드 | 박막 트랜지스터; 스퍼터링; 엑시머 레이저 어닐링; |
