| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2013년 가을 (10/23 ~ 10/25, 대구 EXCO) |
| 권호 | 19권 2호, p.1932 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Controlled growth of HfO2 thin films by atomic layer deposition Using Tetrakis(dimethylamino)hafnium and Hydrogen peroxide |
| 초록 | 높은 유전 상수값과 큰 band gap 에너지를 가지고 있는 HfO2 박막을 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 Si substrate에 증착 하였다. ALD를 이용한 박막의 증착은 우수한 재현성과 균일성 및 단차피복성 그리고 미세 두께 조적이 용이한 특성을 가지고 있다. 현재까지 아마이드 전구체의 대응반응물로 H2O, O3은 많은 연구가 진행되고 있으나 H2O2에 대한 반응계로 연구 결과가 거의 없다. 따라서 본 연구에서는 Tetrakis(dimethylamino)hafnium(TDMAH) 전구체와 H2O2 산화제로 각각 사용하여 HfO2 박막을 증착시키고 UPS, XRD, XRR, AFM 등의 분석을 통하여, 박막의 결정성 및 work - function 등의 특성을 알아보았다. 이번 연구에서 산화제를 H2O2를 사용함으로써 산화제인 H2O, O3 비하여 보다 낮은 온도에서 높은 성장속도를 가지는 것을 확인 하였다. |
| 저자 | 김현섭, 김도형 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | HfO2; ALD; H2O2; TDMAT |
| 원문파일 | 초록 보기 |
