| 초록 |
비휘발성 메모리는 현대 전자 기술에 있어 매우 중요한 요소 소자이다. 사물인터넷 등 전자 기기의 활용처가 전례없이 증가하면서 플렉서블 전자 기술에 대한 수요가 늘고 있는데, 이에 따라 유연한 비휘발성 메모리에 대한 필요성도 대두되고 있다. 유연성을 보이는 비휘발성 메모리 소자가 간혹 보고 되고 있었으나, 충유연성과 함께 분한 메모리 성능까지 확보한 경우는 매우 드물었다. 여러 이유가 있겠으나 이는 주로 초박막 고분자 절연체 기술의 희소성과 궤를 같이한다. 일반 전자 소자에 쓰이는 무기 절연막은 유연성 확보에 한계가 있기 떄문이다. 본 연구에서는 최근 우수한 절연성능과 높은 유연성으로 주목 받고 있는 개시제 기반 CVD (ICVD)를 이용한 고분자 박막을 활용하여, 유연성과 전기적 특성이 모두 우수한 메모리 구현이 가능함을 보인다. 특히, 유전상수가 다른 ICVD 고분자 박막을 이용하고, 박막 트랜지스터형 메모리가 갖는 고유의 특성을 이용한 소자 디자인에 대해 논한다. 이를 통해 접을 수 있는 수준의 유연성을 확보하고도 매우 긴 메모리 리텐션이 가능한 메모리 소자를 소개한다. |
