| 초록 |
최근 전기·전자기기의 소형, 다기능화에 따른 회로의 고집적화에 수반하여 발열에 안정적이며 전기 저항 값이 보다 낮은 재료를 전극 재나 배선 재료로서 사용하는 연구 및 적용이 계속적으로 이루어지고 있다. 이러한 재료 중에 저항 값이 낮고, 열 및 화학적으로 안정된 고순도 텅스텐이 전극이나 배선 재료로 적합하여 널리 사용되어지고 있다. 특이 배선 형성공정에서 스퍼터링공법은 장치의 구조 및 조작이 비교적 단순하고, 상대적으로 낮은 가격에 용이한 배선소재를 성막할 수 있는 장점을 가지고 있다. 스퍼터링법에 의해 전극이나 배선을 성막하기위한 공정이 복잡하고 정교해 지면서 안정정인 성막특성을 위해 입도균일성과 특정 배향 집합조직을 갖는 텅스텐 스퍼터링 타겟 개발이 중요한 요소로 대두되고 있다. 따라서 본 연구에서는 스퍼터 타겟용 고순도 텅스텐 판재를 제조하기위한 분말 소결에서부터 단조, 압연 가공공정과 최종 열처리공정을 통한 입도 및 집합조직 제어와 이에 따른 각각의 물리적 특성을 분석하였다. |
