| 초록 |
본 실험에서는 무전해 도금을 이용하여 Si wafer 위에 Ni 박막을 증착 하였다. Ni 박막은 solar cell에서 diffusion barrier로 전극인 Cu가 Si wafer와 접촉하는 것을 방지하기 하기 위한 역할을 한다. 무전해도금은 금속 이온을 포함한 수용액으로부터 피도금체에 박막을 입히는 도금법이다. 연구에 사용된 Ni무전해도금 Solution의 주성분은 니켈이온 공급을 하는 Nickel chloride가 있고, 환원제로 Sodium hypophosphite를 첨가하였다. pH조절은 NH4OH로 하였다. Ni 무전해도금 후, Sintering 과정을 통해 Nickel silicide를 형성하여 접촉저항을 낮춰주었다. Sintering 공정은 열처리 장비인 RTP를 사용하였고, Nickel silicide 형성시 산화막이 생기지 않도록 N2 가스를 충분히 주입하였다. 면저항은 4-point-probe로 측정을 하였고, SEM으로 Ni의 두께를 확인하였다. 실험을 통해 적절한 Ni 무전해 도금의 시간과 온도, pH 조건을 찾았고, NiSi 형성을 위한 sintering 공정조건을 찾고자 하였다. |
