| 초록 |
고활성의 탈황 촉매를 제조하기 위하여, 조촉매인 니켈(Ni)을 화학기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)으로 MoS2 위에 선택적으로 담지하였다. Ni의 전구체로 사용된 Ni(CO)4는 활성탄(C) 위에 담지되어 있는 금속 Ni와 일산화탄소(CO)의 반응을 통해 제조하였고, 이 전구체를 CO carrier gas에 의하여 MoS2/γ-Al2O3 촉매표면에 2시간 동안 흘려주었다. 이어서 촉매를 100°C에서 열처리하고 dimethyldisulfide(DMDS)로 황화시켜서 NiMoS/Al2O3 촉매를 제조하였다. Infrared spectroscopy(IR)와 inductive coupled plasma-atomic emission spectrometry(ICP-AES)분석을 통하여 Ni 전구체가 알루미나 담체 위에는 거의 증착하지 않으며, 대부분이 MoS2위에 증착한다는 사실을 확인하였다. 이는 Ni이 활성상인 MoS2 위에 선택적으로 담지된다는 것을 의미한다. 새로운 방법으로 제조된 촉매는 dibenzothiophene(DBT)을 모델 반응물로 사용한 탈황 반응에서 같은 양의 Ni를 함침법으로 담지한 촉매보다 초기활성이 약 1.6배 증가하였다. 이는 CVD 방법으로 Ni를 첨가할 경우 Ni가 선택적으로 MoS2에 흡착하여 탈황 촉매의 활성상인 NiMoS가 함침촉매보다 많이 형성되었기 때문이다. |
