| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | PEALD 방법으로 증착된 La2O3 게이트 산화물 박막의 전기적 특성 |
| 초록 | 현재 게이트 산화물로 사용되고 있는 SiO2 에 비해 상대적으로 유전율이 높은 게이트 산화물들이 차세대 소자의 대체 물질로 많은 연구가 진행되고 있다. 유전율이 높은 게이트 산화물들이 있지만 Si와의 결정구조, 유전율, 전기적 특성등 여러 가지 이유들로 인해 현재 가장 많이 연구가 진행되고 있는 물질들로는 Al2O3 , Ta2O5, HfO2, ZrO2 및 이것들의 alunimates와 silicates들이 있다. 그러나 이런 게이트 산화물들도 SiO2에 비해 Si 기판과의 계면 특성이나 열적 안정성에서 문제점이 발생하고 있다. 이런 측면에서 La2O3 는 높은 유전상수 값을 가진 물질로서 Si계면과의 안정성과 열적 안정성측면에서 우수한 특성을 가지기 때문에 high-κ 물질로서 유망한 물질로 선정되었다. 게이트 산화물은 초박막의 두께를 유지하고, 정확한 두께 조절이 가능해야 하며, 높은 종횡비를 가져야 하기 때문에, 단원자층 증착 방식인 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법으로 증착하는 것이 유리하다. ALD는 비교적 낮은 온도에서 증착이 가능하고, source와 반응 가스를 순차적으로 주입하며, 중간에 purge 공정이 들어가서 잔류한 반응 가스들을 제거해주기 때문에 정밀한 두께 조절이 가능하고 동시에 불순물 함량이 낮은 박막을 얻을 수 있다. 본 연구에서는 ECR plasma를 사용해 박막의 특성을 향상시키고, plasma power의 변화에 따른 박막의 특성 변화를 분석할 것이다. 본 연구에서는 PEALD(Plasma Enhenced Atomic Layer Deposition) 방식으로 증착 된 La2O3 박막의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 조사하고 차세대 게이트 산화막으로서 적용 가능성을 확인할 것이다. |
| 저자 | 이은주, 김범용, 고명균, 박종완 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | high-k; PEALD; La2O3 |
